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晶体管

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APT40GLQ120JCU2

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数量单价合计
100
¥354.3906
35439.06
250
¥346.9326
86733.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
Pd-功率耗散
312 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT40GLQ120JCU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥55.935
1,000:¥53.8671
参考库存:39801
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8817
参考库存:39806
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 4K
4,000:¥2.8815
参考库存:39811
晶体管
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
6,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:39816
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
3,000:¥1.9097
参考库存:39821
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