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晶体管
SQJ158EP-T1_GE3参考图片

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SQJ158EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
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数量单价合计
1
¥5.6839
5.6839
10
¥4.5765
45.765
100
¥3.4691
346.91
500
¥2.8702
1435.1
1,000
¥2.2939
2293.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
27.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
36 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ158EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK100E06N1,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA
1:¥19.21
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.9158
参考库存:3910
RAL035P01TCR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:9492
DMN6040SK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-CH MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8533
100:¥2.3504
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:14819
DTC114TET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.07576
10:¥0.97632
100:¥0.34578
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.17628
参考库存:148001
ULQ2003AN
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Darl Transistor Arrays
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3335
1,000:¥2.6781
参考库存:8948
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