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产品分类

晶体管
IKFW60N60DH3EXKSA1参考图片

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IKFW60N60DH3EXKSA1

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库存:6,870(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.1722
54.1722
10
¥48.9516
489.516
25
¥46.7142
1167.855
100
¥40.4992
4049.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
PG-TO247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
53 A
Pd-功率耗散
141 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
74 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKFW60N60DH3E SP001502658
商品其它信息
优势价格,IKFW60N60DH3EXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -20Vdss -40A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:25216
晶体管
MOSFET NCH 250V 3A TP-FA(DPAK)
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
700:¥2.4408
参考库存:14168
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8986
500:¥5.2206
1,000:¥4.1132
2,500:¥4.1132
参考库存:221345
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:12992182
晶体管
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
1:¥21.7412
10:¥17.515
100:¥13.9894
500:¥12.2944
5,000:¥9.1417
10,000:查看
参考库存:54224
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