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晶体管
A3G20S250-01SR3参考图片

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A3G20S250-01SR3

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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库存：6,722(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥725.8329
725.8329
5
¥702.3967
3511.9835
10
¥688.3282
6883.282
25
¥644.9927
16124.8175
100
¥622.7882
62278.82
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN Si
Id-连续漏极电流
250 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18.2 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G20S250
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935377832118
商品其它信息
优势价格，A3G20S250-01SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VNP5N07-E
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8252
参考库存:12452
SI7994DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥28.589
10:¥23.6622
100:¥19.5151
250:¥18.9049
3,000:¥18.9049
参考库存:30994
DMG7401SFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:63006
BCP5410TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:17413
SPW47N60C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥101.2028
10:¥93.0555
25:¥89.2135
100:¥78.535
参考库存:6560
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