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晶体管
TSM060N03PQ33 RGG参考图片

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TSM060N03PQ33 RGG

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 30V, 60A, Single N-Channel Power MOSFET
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¥1.5142
30284
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
25.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
9.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35.2 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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8,000:查看
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