FD800R17KE3_B2详细参数_参考价格_FD800R17KE3_B2 PDF资料_Infineon Technologies

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1700 V
在25 C的连续集电极电流	1200 A
封装 / 箱体	IHM130
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	38 mm
长度	140 mm
宽度	130 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	2
子类别	IGBTs
零件号别名	FD800R17KE3B2NOSA1 SP000100629

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RN1507(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	1:¥3.2318 10:¥1.7741 100:¥0.76049 1,000:¥0.58421 3,000:¥0.44522	参考库存:30494
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NSBA144EDP6T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 SOT-963 DUAL PBRT	1:¥2.7685 10:¥2.1018 100:¥1.1413 1,000:¥0.86106 8,000:¥0.69156 24,000:查看	参考库存:38677