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晶体管
2N5551TFR参考图片

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2N5551TFR

  • ON Semiconductor / Fairchild
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
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1
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2.3052
10
¥1.5594
15.594
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
2,000
¥0.34578
691.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
160 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.2 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5551
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Cut Tape
封装
Reel
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5551TFR_NL
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格，2N5551TFR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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