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晶体管
R6004JND3TL1参考图片

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R6004JND3TL1

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0512
3525.6
2,500
¥5.4353
13588.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.43 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格,R6004JND3TL1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
1,500:¥10.2152
4,500:查看
参考库存:19419
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥92.9764
10:¥84.524
25:¥78.2186
50:¥73.9924
参考库存:1616
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:103033
晶体管
MOSFET Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
1,000:¥6.5653
2,500:¥6.1133
参考库存:13905
晶体管
MOSFET Nch 45V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥11.2209
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.5088
1,000:¥5.1415
2,500:¥4.5539
参考库存:13907
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