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晶体管
SIHP18N50C-E3参考图片

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SIHP18N50C-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.4526
6226.3
1,000
¥10.2943
10294.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
225 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
223 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
80 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP18N50C-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:53707
晶体管
MOSFET N-Channel,MOSFETS,SOT-23 Package
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
45,000:查看
参考库存:53712
晶体管
IGBT 晶体管 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
450:¥14.4414
900:¥12.9837
参考库存:53717
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.752
25:¥10.5316
100:¥9.4468
参考库存:53722
晶体管
MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V
3,000:¥7.1642
6,000:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:53727
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