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晶体管
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FDN360P

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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.02943
1029.43
3,000
¥0.89157
2674.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDN360P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
FDN360P_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格，FDN360P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
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双极晶体管 - 预偏置 SS SRF MT RST XSTR
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24,000:¥0.67574
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99,000:¥0.52997
参考库存:64144
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