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晶体管
DMP510DL-13参考图片

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DMP510DL-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET P-Ch Enh Mode FET 310mW -50Vdss 30Vgss
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数量单价合计
10,000
¥0.3842
3842
20,000
¥0.3616
7232
50,000
¥0.33787
16893.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
180 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
310 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.975 mm
长度
2.9 mm
系列
DMP510
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.25 S
下降时间
7.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.1 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMP510DL-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 320MJ 360V N-CH IGNITION IGBT
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
800:¥8.5315
参考库存:4746
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:50153
晶体管
MOSFET TO-220 N-CH ENHANCE
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.9049
500:¥16.9839
参考库存:6465
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:25717
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥14.8256
10:¥12.2944
100:¥9.5259
500:¥8.3733
1,000:¥6.9043
参考库存:3524
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