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晶体管

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VS-GB150TS60NPBF

  • Vishay Semiconductors
  • 最新
  • IGBT 模块 138 Amp 600 Volt Half-Bridge
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数量单价合计
15
¥656.2136
9843.204
30
¥634.3142
19029.426
60
¥625.6358
37538.148
105
¥590.6736
62020.728
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
138 A
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
高度
30 mm
长度
94 mm
宽度
35 mm
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
商标名
HEXFRED
零件号别名
GB150TS60NPBF
单位重量
200 g
商品其它信息
优势价格，VS-GB150TS60NPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS4C025NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
5,000:¥1.5594
参考库存:21550
PMPB100ENEAX
Nexperia
晶体管
MOSFET MOSFET SOT1220
暂无价格
参考库存:21555
RJK5035DPP-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
参考库存:21560
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 10A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥45.7989
10:¥38.9624
100:¥33.7305
250:¥32.0468
参考库存:21565
IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:21570
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