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晶体管
NSS20200LT1G参考图片

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NSS20200LT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.373
23.73
100
¥1.09158
109.158
1,000
¥0.83733
837.33
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 20 V
集电极—基极电压 VCBO
- 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.13 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS20200L
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
Pd-功率耗散
460 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSS20200LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA114YE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42546
PHE13005X/01,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Silicon diffused pwr transistor
5,000:¥1.6046
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4238
50,000:¥1.3786
参考库存:42551
AFT21S230SR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
250:¥1,072.3022
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DMP3036SFG-13
Diodes Incorporated
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3,000:¥1.8419
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DRA2523Y0L
Panasonic
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥1.2091
9,000:¥1.12209
24,000:¥1.05994
45,000:¥1.01474
参考库存:42566
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