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晶体管
PSMN013-100BS,118参考图片

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PSMN013-100BS,118

  • Nexperia
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  • MOSFET Std N-chanMOSFET
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数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.6049
760.49
500
¥6.7235
3361.75
800
¥5.311
4248.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
68 A
Rds On-漏源导通电阻
13.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,PSMN013-100BS,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Digital Transtr Driver
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:17078
晶体管
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
1,000:¥5.1867
3,000:¥4.5991
参考库存:110550
晶体管
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
3,000:¥4.2375
9,000:查看
参考库存:74387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
1:¥22.4418
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:58639
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Isolated DC/DC Converter
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695
参考库存:18036
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