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晶体管

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FB20R06W1E3

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库存:44,907(价格仅供参考)
数量单价合计
24
¥232.9043
5589.7032
48
¥222.4518
10677.6864
120
¥198.8574
23862.888
264
¥189.6366
50064.0624
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
29 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FB20R06W1E3BOMA1 SP000307555
商品其它信息
优势价格,FB20R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥11.3678
10:¥9.7632
100:¥7.5032
500:¥6.6218
2,500:¥4.6443
10,000:查看
参考库存:13706
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
500:¥12.8368
参考库存:2568
晶体管
MOSFET P-Ch -100V -15A TO220-3
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0399
参考库存:1705
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥16.3624
250:¥15.5262
500:¥13.9103
800:¥13.9103
参考库存:6442
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
参考库存:6419
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