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晶体管
IPB016N06L3 G参考图片

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IPB016N06L3 G

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库存:7,650(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.1147
34.1147
10
¥28.9732
289.732
100
¥25.1312
2513.12
250
¥23.8204
5955.1
1,000
¥18.0574
18057.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
166 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
124 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
79 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
131 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB016N06L3GATMA1 IPB16N6L3GXT SP000453040
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB016N06L3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:6015
晶体管
MOSFET Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)
1:¥6.9947
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥4.0454
2,500:¥2.8363
10,000:查看
参考库存:14697
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:8009
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.458
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.712
参考库存:47386
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥71.303
10:¥64.4665
25:¥61.472
100:¥53.4038
参考库存:4128
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