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晶体管
DMN2230UQ-7参考图片

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DMN2230UQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3391
23.391
100
¥1.2769
127.69
1,000
¥0.95259
952.59
3,000
¥0.82264
2467.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
600 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2230
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.6 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMN2230UQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU2LN60K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
参考库存:31429
BUK98180-100A/CUX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:185801
DMN2008LFU-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.9323
参考库存:30333
SUD20N10-66L-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 100-V D-S
1:¥6.6105
10:¥5.3223
100:¥4.0454
500:¥3.3335
2,000:¥3.3335
参考库存:27805
DMP1100UCB4-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:24437
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