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晶体管
BSS123T-HF参考图片

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BSS123T-HF

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库存:39,586(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.695
16.95
100
¥0.80682
80.682
1,000
¥0.56048
560.48
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
5.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
100 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
端接类型
SMD/SMT
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Comchip Technology
产品类型
MOSFET
上升时间
15.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.2 ns
典型接通延迟时间
4.2 ns
商品其它信息
优势价格,BSS123T-HF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET P-Ch 25V JFET -10mA 25V 300mW 2.4mW
113:¥57.9351
500:¥52.7936
1,000:¥45.9458
参考库存:23006
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
1:¥1.695
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:23011
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
2,500:¥4.0228
5,000:查看
参考库存:23016
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 342A
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,500:¥16.3624
参考库存:23021
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:3618
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