NSBA144EDP6T5G详细参数_参考价格_NSBA144EDP6T5G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-963-6
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBA144EDP6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.37 mm
长度	1 mm
宽度	0.8 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
单位重量	1.190 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NPTB00004A	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT	1:¥118.0285 10:¥107.1127 25:¥99.2818 50:¥93.5866	参考库存:5711
FDMA530PZ	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET	1:¥5.537 10:¥4.5991 100:¥2.9606 1,000:¥2.373 3,000:¥2.0001	参考库存:317628
APT95GR65B2	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8	1:¥81.0662 10:¥72.9189 25:¥66.4666 50:¥61.9353	参考库存:3785
FDB120N10	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench	1:¥21.5152 10:¥18.2834 100:¥15.8313 250:¥15.0629 500:¥13.5261 800:¥13.5261	参考库存:27477
CSD18501Q5A	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET	1:¥11.526 10:¥9.7632 100:¥7.7631 500:¥6.8365 2,500:¥5.2658 5,000:查看	参考库存:183434