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2SD1963T100R

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 3A
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数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0567
40.567
100
¥2.4747
247.47
1,000
¥1.9097
1909.7
2,000
¥1.6272
3254.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
180 at 500 mA, 2 V
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
180
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格，2SD1963T100R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4931DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
1:¥11.0627
10:¥9.0626
2,500:¥9.0626
参考库存:41394
FCH104N60F-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
1:¥45.878
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:6596
SI7904BDN-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.4353
1,000:¥4.294
3,000:¥4.294
参考库存:10958
SIHP33N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥55.8672
10:¥50.4093
50:¥44.4881
100:¥41.7987
参考库存:4995
IRGP4066DPBF
Infineon / IR
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥82.4448
10:¥75.8456
25:¥72.6929
100:¥64.0032
参考库存:3167
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