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晶体管
BUJ103AX,127参考图片

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BUJ103AX,127

  • WeEn Semiconductors
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
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数量单价合计
5,000
¥2.4973
12486.5
10,000
¥2.4069
24069
25,000
¥2.3052
57630
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-186A-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
32
高度
15.8 mm
长度
10.3 mm
宽度
4.6 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
26 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
934055159127
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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