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晶体管
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2N3706

  • Central Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 800mA BULK HFE/800
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数量单价合计
5,000
¥1.2317
6158.5
10,000
¥1.1413
11413
25,000
¥1.08367
27091.75
50,000
¥1.05994
52997
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
0.8 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N3706
直流电流增益 hFE 最大值
600
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
封装
Bulk
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
零件号别名
2N3706 PBFREE
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，2N3706的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF300R12KT4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 300A
1:¥972.5684
5:¥953.4262
10:¥909.0172
25:¥889.8863
参考库存:4589
FS200R12KT4R
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
1:¥1,640.534
5:¥1,601.0405
10:¥1,561.3097
25:¥1,539.4103
参考库存:4541
FQD5P20TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
2,500:¥2.0566
参考库存:20868
IPD031N06L3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥17.515
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
2,500:¥7.9891
5,000:查看
参考库存:27410
MCH6344-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:29252
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