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晶体管
SSM3K106TU(T5L,T)参考图片

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SSM3K106TU(T5L,T)

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET Small-signal FET 1.2A 20V 0.53Ohm
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23.843
100
¥1.3334
133.34
1,000
¥0.96841
968.41
3,000
¥0.83733
2511.99
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
2 mm
系列
SSM3K106
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.7 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
6.600 mg
商品其它信息
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