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晶体管

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FF225R12ME4_B11

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数量单价合计
1
¥896.3386
896.3386
5
¥878.7445
4393.7225
10
¥837.782
8377.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
225 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.05 kW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF225R12ME4B11BPSA1 SP000691802
商品其它信息
优势价格,FF225R12ME4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-323FL -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:45058
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PNP AMPL/Switch 40Vcbo 40Vceo 10pF
1:¥33.9678
10:¥30.2727
100:¥27.5833
250:¥24.8939
参考库存:4480
晶体管
MOSFET NCH 12V 17A WLCSP DUAL
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
5,000:¥1.4577
参考库存:79077407
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 8A 100V TR
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
2,500:¥1.8758
参考库存:10119
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:47411
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