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晶体管

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APTGT50H120T3G

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库存:51,960(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥548.5585
54855.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
270 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APTGT50H120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
1:¥3.0736
10:¥2.5651
100:¥1.5707
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:93927
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.1473
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
1,000:¥3.7516
3,000:¥3.3222
参考库存:14954
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥10.9836
参考库存:9351
晶体管
MOSFET T6 40V LL S08FL DS
1:¥25.4363
10:¥21.6734
100:¥18.7467
250:¥17.8314
1,500:¥12.8368
4,500:查看
参考库存:11953
晶体管
IGBT 模块
1:¥527.5857
5:¥517.8225
10:¥504.4546
25:¥494.6236
参考库存:4505
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