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晶体管
DMP10H4D2S-13参考图片

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DMP10H4D2S-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
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数量单价合计
10,000
¥0.56048
5604.8
20,000
¥0.52997
10599.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
270 mA
Rds On-漏源导通电阻
4.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
1.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
380 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.975 mm
长度
2.9 mm
系列
DMP10
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
4.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.4 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMP10H4D2S-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥41.4145
10:¥39.7308
25:¥36.4199
50:¥34.7362
参考库存:1538
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80GN/FM4///REEL 13
1:¥1,633.1551
5:¥1,593.8198
10:¥1,554.2472
25:¥1,532.4947
参考库存:1595
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
1:¥429.3774
参考库存:3392
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP Amp Trans
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:37219
晶体管
MOSFET Small Signal Mosfet
1:¥3.9211
10:¥3.3335
100:¥2.1018
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:14751
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