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晶体管
IRG4PSC71UDPBF参考图片

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IRG4PSC71UDPBF

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库存:2,872(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥104.5815
104.5815
10
¥96.1291
961.291
25
¥92.1289
2303.2225
100
¥81.2244
8122.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274AA-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
350 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001545818
单位重量
6.804 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PSC71UDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V P-Channel PowerTrench
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:25716
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A FIELD STOP
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:5448
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.1472
10:¥4.9042
100:¥3.729
500:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,500:¥2.2261
参考库存:19155
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab)
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
2,000:¥0.7684
参考库存:52302
晶体管
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
2,500:¥2.9945
10,000:查看
参考库存:18704
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