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晶体管
BSC067N06LS3GATMA1参考图片

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BSC067N06LS3GATMA1

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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.7575
87.575
100
¥6.7348
673.48
500
¥5.9551
2977.55
1,000
¥4.7008
4700.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSC067N06LS3 BSC67N6LS3GXT G SP000451084
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC067N06LS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4V DRIVE PCH MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.85315
参考库存:63131
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
250:¥23.5153
参考库存:6798
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥120.3337
10:¥109.4179
25:¥101.2028
50:¥95.7449
参考库存:2360
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Automotive-grade low voltage NPN power transistor
1:¥6.5314
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
参考库存:18432
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
1,500:¥2.3956
参考库存:12174
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