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晶体管
SI8497DB-T2-E1参考图片

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SI8497DB-T2-E1

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.5 x 1
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.5595
35.595
100
¥2.6442
264.42
500
¥2.1696
1084.8
1,000
¥1.6724
1672.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFoot-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
43 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.6 mm
长度
2.36 mm
系列
SI8
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.56 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格，SI8497DB-T2-E1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMA910PZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET P-CHAN -20V -9.4A
1:¥6.6896
10:¥5.7065
100:¥4.3844
500:¥3.8759
3,000:¥2.712
9,000:查看
参考库存:20332
SI7115DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥16.0573
10:¥13.2888
100:¥10.2943
500:¥9.0626
1,000:¥7.4693
3,000:¥7.4693
参考库存:37824
FQPF7P20
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4014
参考库存:10106
IRGP4069D-EPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Low VCEon Trench IGBT
1:¥63.5512
10:¥57.404
25:¥54.7824
100:¥47.5617
参考库存:7668
NTDV20N06T4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 60V 20A 46MOHM
1:¥8.5315
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4465
10,000:查看
参考库存:12325
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