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晶体管
NVTFS5C670NLTAG参考图片

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NVTFS5C670NLTAG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET T6 60V NCH LL U8FL
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库存:16,789(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.4466
54.466
100
¥4.1923
419.23
500
¥3.6951
1847.55
1,500
¥2.5877
3881.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
17 mg
商品其它信息
优势价格,NVTFS5C670NLTAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.5315
10:¥7.5484
100:¥5.9664
500:¥4.6217
1,000:¥3.6499
3,000:¥3.3109
参考库存:12826
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
1:¥29.2783
10:¥24.8939
100:¥21.5152
250:¥20.4417
参考库存:5358
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥44.7254
10:¥37.9567
100:¥32.883
250:¥31.1993
500:¥28.0466
参考库存:4460
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:224082
晶体管
IGBT 模块 1200V 450A Dual
1:¥1,547.0943
参考库存:4254
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