SQS415ENW-T1_GE3详细参数_参考价格_SQS415ENW-T1_GE3 PDF资料_Vishay / Siliconix

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Vishay
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK-1212-8W
通道数量	1 Channel
晶体管极性	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	16 A
Rds On-漏源导通电阻	16.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	82 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	62.5 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
晶体管类型	1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET
商标	Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值	30 S
下降时间	16 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	3.6 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	64 ns
典型接通延迟时间	11.8 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JAN2N3498/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	100:¥138.0069 250:¥125.7916 500:¥117.7234	参考库存:34661
JANTXV2N2907AL/TR	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	200:¥71.8454 250:¥65.54 500:¥61.3138 1,000:¥56.2514	参考库存:34666
JANTX2N1131L	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)	100:¥1,779.6144	参考库存:34671
PMT200EPEAX	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 70 V, P-channel Trench MOSFET	暂无价格	参考库存:34676
STL38N65M5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5	1:¥53.788 10:¥48.6352 25:¥46.4091 100:¥40.2619 3,000:¥29.4252	参考库存:34681