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晶体管
IRFH4253DTRPBF参考图片

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IRFH4253DTRPBF

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库存:18,109(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.594
15.594
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2208
4610.4
4,000
¥6.9043
27617.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 47 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W, 50 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
FastIRFet
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
6 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
131 S, 164 S
下降时间
15 ns, 65 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
61 ns, 98 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 26 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 16 ns
零件号别名
SP001556246
商品其它信息
优势价格,IRFH4253DTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
参考库存:31429
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:185801
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.9323
参考库存:30333
晶体管
MOSFET N-Channel 100-V D-S
1:¥6.6105
10:¥5.3223
100:¥4.0454
500:¥3.3335
2,000:¥3.3335
参考库存:27805
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:24437
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