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晶体管
IPD65R600C6参考图片

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IPD65R600C6

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.3337
733.37
500
¥6.4862
3243.1
1,000
¥5.1189
5118.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7.3 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R6C6XT SP000745020
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD65R600C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSZ088N03LS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥5.6048
10:¥4.7121
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
5,000:¥2.0566
参考库存:24830
DTC124EET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.2317
10:¥1.06785
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:60697
ZXMP7A17GQTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:17879
NGTB45N60SWG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 600V/45A IGBT FS1 TO-247
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:3381
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT COMPLEMENTARY
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:58713
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