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晶体管
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IPD65R225C7

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数量单价合计
1
¥17.063
17.063
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.3733
8373.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
225 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD65R225C7ATMA1 SP000929430
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD65R225C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTA043EEBTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:43771
IRFS31N20DTRLP
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
1:¥16.9048
10:¥14.2945
100:¥11.4469
500:¥9.9892
800:¥8.2942
参考库存:3608
FQP12P10
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V P-Channel QFET
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1698
500:¥5.4579
参考库存:9125
PMBTA42,215
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN HV 100MA 300V
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:28997
PDTA124TU,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:18484
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