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晶体管
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CSD13201W10

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET N-CH NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥2.8476
28.476
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1639
1163.9
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
34 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1 mm
系列
CSD13201W10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14.4 ns
典型接通延迟时间
3.9 ns
单位重量
1.100 mg
商品其它信息
优势价格，CSD13201W10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STF7N52DK3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 525V 0.95 Ohm 6A SuperFREDmesh3
1,000:¥7.9891
2,000:¥7.4806
5,000:¥7.1981
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8:¥3,336.4719
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暂无价格
参考库存:39011
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