FDS86242详细参数_参考价格_FDS86242 PDF资料_ON Semiconductor / Fairchild

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	150 V
Id-连续漏极电流	20 A
Rds On-漏源导通电阻	56.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	4.9 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	5 W
配置	Single
商标名	PowerTrench
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.75 mm
长度	4.9 mm
系列	FDS86242
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel Power Trench MOSFET
宽度	3.9 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值	11 S
下降时间	10 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	10 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	23 ns
典型接通延迟时间	16 ns
单位重量	130 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N1486	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥376.6742 2:¥366.4477 5:¥356.3116 10:¥346.1642	参考库存:4103
FDC655BN	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET	1:¥3.2318 10:¥2.7233 100:¥1.6611 1,000:¥1.2882 3,000:¥1.09158	参考库存:284505
IPD60R950C6ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2	1:¥7.8422 10:¥6.7122 100:¥5.1641 500:¥4.5652 1,000:¥3.6047 2,500:¥3.6047	参考库存:103842
BCW 61D E6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR	1:¥1.695 10:¥1.1639 100:¥0.48364 1,000:¥0.32996 3,000:¥0.26103	参考库存:228939
FJAF4210RTU	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial	1:¥24.973 10:¥21.2101 100:¥18.4416 250:¥17.4472	参考库存:5686