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晶体管
FF450R12ME4EB11BPSA1参考图片

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FF450R12ME4EB11BPSA1

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库存:3,947(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,647.1445
1647.1445
5
¥1,607.4928
8037.464
10
¥1,567.6151
15676.151
25
¥1,545.6366
38640.915
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Common Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
在25 C的连续集电极电流
450 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
20 mW
封装 / 箱体
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
15 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001671620
商品其它信息
优势价格,FF450R12ME4EB11BPSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:3788
晶体管
MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:14945
晶体管
IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
1:¥46.9515
10:¥42.4202
25:¥40.4992
100:¥35.1204
参考库存:6012
晶体管
MOSFET PCH 0.9V DRIVE SERIES
1:¥3.9211
10:¥3.277
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3108
9,000:¥1.2995
参考库存:89824
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥17.515
10:¥14.5996
100:¥11.30
500:¥9.9101
800:¥8.2264
参考库存:5411
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