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晶体管
SQJ476EP-T1_GE3参考图片

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SQJ476EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥6.1359
61.359
100
¥4.7912
479.12
500
¥3.5934
1796.7
3,000
¥2.5538
7661.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ476EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF640STRLPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥13.3679
10:¥11.1418
800:¥11.1418
参考库存:9713
MJE340G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.5A 300V 20W NPN
1:¥4.068
10:¥3.3448
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3447
参考库存:20880
PMCM440VNEZ
Nexperia
晶体管
MOSFET 12V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.26
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
9,000:¥0.62263
18,000:查看
参考库存:73827
IRFR420TRLPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥14.2945
10:¥12.9837
100:¥10.4525
500:¥8.1473
1,000:¥6.6896
3,000:¥6.0568
参考库存:18854
NTMD4840NR2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.6724
参考库存:19141
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