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晶体管
TPC8052-H(TE12L,Q)参考图片

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TPC8052-H(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET N-CH MOS 40V 12A
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
13.3 mOhms
配置
Single
封装
Reel
高度
1.68 mm
长度
4.9 mm
系列
TPC8052-H
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,TPC8052-H(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V 40A FS2 Trench IGBT
1:¥49.7878
10:¥42.3411
100:¥36.6572
250:¥34.804
参考库存:4762
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥31.6626
10:¥26.894
100:¥23.3571
250:¥22.1254
参考库存:5679
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
1,000:¥19.8993
2,000:查看
参考库存:25071
晶体管
MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
1:¥5.3788
10:¥4.1132
100:¥3.051
500:¥2.5086
3,000:¥1.7628
6,000:查看
参考库存:405468
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
1:¥19.6733
10:¥18.0574
25:¥16.3624
100:¥14.7578
参考库存:8170
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