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晶体管
RM25N30DN参考图片

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RM25N30DN

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库存:39,556(价格仅供参考)
数量单价合计
5,000
¥1.6837
8418.5
10,000
¥1.5368
15368
25,000
¥1.5142
37855
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格,RM25N30DN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 250mW 10KOhm
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:8562
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
1:¥13.0628
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.3563
800:¥6.102
参考库存:5824
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0399
1,000:¥5.5596
参考库存:7651
晶体管
MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:1218633
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 651V-800V
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
1,000:¥4.972
参考库存:4445
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