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晶体管
BSS159NH6906XTSA1参考图片

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BSS159NH6906XTSA1

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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8646
38.646
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥2.0001
2000.1
3,000
¥2.0001
6000.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS159
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
3.1 ns
零件号别名
BSS159N BSS159NH696XT H6906 SP000702636
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS159NH6906XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
参考库存:14524
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
2,500:¥6.1359
参考库存:14546
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
2,500:¥3.1979
10,000:查看
参考库存:14528
晶体管
MOSFET
1:¥150.1431
5:¥148.6063
10:¥138.4702
25:¥132.2439
参考库存:3090
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,906.0823
5:¥3,670.7259
参考库存:2072
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