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晶体管
BSZ120P03NS3E G参考图片

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BSZ120P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
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库存:26,337(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.3166
43.166
100
¥2.7911
279.11
1,000
¥2.2374
2237.4
5,000
¥1.8871
9435.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ12P3NS3EGXT SP000709730
商品其它信息
优势价格,BSZ120P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
1:¥56.7034
10:¥51.2568
25:¥48.8725
100:¥42.4202
参考库存:4480
晶体管
MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
1:¥8.1473
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.7008
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:13062
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
1:¥13.1419
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
参考库存:13509
晶体管
MOSFET UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
1:¥15.5262
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
2,000:¥6.7461
4,000:查看
参考库存:12426
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:51418
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