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晶体管

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2SD2212T100

  • ROHM Semiconductor
  • 最新
  • 达林顿晶体管 DARL NPN 60V 2A
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.955
39.55
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥2.0453
2045.3
2,000
¥1.7289
3457.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
1 uA
安装风格
SMD/SMT
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
1000
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
2SD2212
单位重量
130.500 mg
商品其它信息
优势价格,2SD2212T100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:27783
晶体管
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
1:¥9.5259
10:¥8.0682
100:¥6.2489
500:¥5.5257
1,000:¥4.3618
参考库存:7965
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥437.988
10:¥364.99
25:¥328.491
50:¥291.992
参考库存:4492
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,285.6914
5:¥1,254.7972
10:¥1,223.5979
25:¥1,206.4671
参考库存:4769
晶体管
MOSFET N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH
1:¥23.5944
10:¥20.0575
100:¥17.3681
250:¥16.4415
参考库存:8686
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