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晶体管
2SA1941-O(Q)参考图片

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2SA1941-O(Q)

  • Toshiba
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
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数量单价合计
1
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13.1419
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.2207
3610.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 140 V
集电极—基极电压 VCBO
- 140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
2 V
增益带宽产品fT
30 MHz
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
83
商标
Toshiba
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
4.700 g
商品其它信息
优势价格,2SA1941-O(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:查看
参考库存:38119
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