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晶体管
IRG4PSC71KDPBF参考图片

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IRG4PSC71KDPBF

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数量单价合计
1
¥156.7536
156.7536
10
¥144.075
1440.75
25
¥138.1538
3453.845
100
¥121.7123
12171.23
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-274-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.83 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
350 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
高度
20.3 mm
长度
15.6 mm
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
25
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001544764
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4PSC71KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:252899
晶体管
MOSFET NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET
1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
2,500:¥6.441
5,000:查看
参考库存:17501
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥249.6509
5:¥238.43
10:¥230.9833
25:¥212.2366
参考库存:2513
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN VHF/UHF AM
1:¥37.8098
10:¥33.7305
100:¥30.736
250:¥27.7415
参考库存:2135
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington 8A 100V
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:46107
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