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晶体管
BSS83PH6327XTSA1参考图片

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BSS83PH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.2939
22.939
100
¥1.05316
105.316
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.69156
2074.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
330 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
2.38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.24 S
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
71 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
BSS83P BSS83PH6327XT H6327 SP000702486
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS83PH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8 N-CH 60V
1:¥7.2207
10:¥6.1246
100:¥4.7008
500:¥4.1584
1,000:¥3.277
2,500:¥3.277
参考库存:19057
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:404484
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 950A
1:¥7,150.0411
参考库存:1676
晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
1:¥270.3186
5:¥265.0189
10:¥263.5612
25:¥243.2777
参考库存:2533
晶体管
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
1:¥7.684
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
参考库存:20565
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