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晶体管
RJU002N06T106参考图片

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RJU002N06T106

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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
RJU002N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.25 mm
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
RJU002N06
单位重量
5 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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