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晶体管
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AUIRF1010EZS

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
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数量单价合计
1
¥18.2834
18.2834
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
84 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001516450
单位重量
4 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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