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晶体管
STGW20H65FB参考图片

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STGW20H65FB

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
10
¥23.8204
238.204
100
¥20.6677
2066.77
250
¥19.5942
4898.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
168 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW20H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
3,000:¥12.5204
6,000:查看
参考库存:16992
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.0001
10:¥1.3899
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.31527
参考库存:31294
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.3733
500:¥7.3676
2,500:¥5.6839
5,000:查看
参考库存:14396
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.22261
参考库存:47573
晶体管
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:15478
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