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晶体管
CSD18503Q5AT参考图片

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CSD18503Q5AT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 40V CSD18503Q5A 8-VSONP
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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.3224
732.24
250
¥7.3224
1830.6
500
¥6.4749
3237.45
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18503Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
100 S
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.8 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18503Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS6H800NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
1:¥43.8779
10:¥37.3465
100:¥32.3519
250:¥30.6569
1,500:¥22.0576
参考库存:69189
MSB30M-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bridge Rectifier
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:9806
BSM180C12P2E202
ROHM Semiconductor
晶体管
分立半导体模块 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
1:¥4,149.586
5:¥3,899.5509
参考库存:2343
PHPT61002PYCLHX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT669
1:¥3.3787
10:¥2.7911
100:¥1.7063
1,000:¥1.3108
参考库存:9085
NSS60100DMTTBG
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA
1:¥4.9155
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
3,000:¥1.6159
参考库存:30047
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